高周波デバイス・システム領域

領域長挨拶

高周波デバイス・システム領域は、文部科学省事業「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」の中で、GaN高周波デバイスにおける結晶欠陥とデバイス特性の相関とそのメカニズムを、欠陥評価、デバイスシミュレーション、デバイス試作・評価の三位一体のアプローチにより解明することで、再現性・信頼性を確保した高周波デバイスの結晶成長、デバイスプロセス、デバイス設計原理の構築を目的としています。結晶創製を担う中核拠点および評価基盤領域との連携、さらに、デバイスプロセスや欠陥物性については密接に関係するパワーデバイス・システム領域と協力し、実用化に向けた研究開発を推進します。領域長　須田淳

実施体制図

主課題A
結晶成長・物性評価
- a-1. GaN系HEMT構造エピタキシャル成長技術の確立ー名古屋大学
- a-2. GaN系HEMT構造エピタキシャル成長層の物性評価と解析ー名古屋大学
主課題B
デバイス作製・特性評価解析
- b-1. GaN系HEMT作製プロセスの確立ー三菱電機株式会社、豊田工業大学、名古屋大学
- b-2. GaN系HEMTの高周波特性評価と解析ー名古屋工業大学
- b-3. フィールドプレート付きGaN系HEMTの試作と特性評価ー三菱電機株式会社、名古屋大学
主課題C
デバイスシミュレーション
- c-1. デバイスシミュレーションによるGaN系HEMTデバイス物理の解明ー佐賀大学
- c-2. 短チャネル効果および熱分布を考慮したGaN系HEMTデバイス設計ー東京工業大学
主課題D
高周波回路設計技術
- d-1. GaN系HEMT マイクロ波回路歪特性評価と解析ー名古屋大学

メンバー紹介

須田　淳

名古屋大学
大学院工学研究科　教授

・研究総括、全体取りまとめ
宮本　恭幸

東京工業大学
工学院電気電子系　教授

・短チャネル効果を考慮したGaN系HEMTデバイスシミュレーション
・デバイスシミュレーションに基づいてのGaN層薄層化時のデバイス設計
・発熱を考慮したGaN系HEMTデバイスシミュレーション
大石　敏之

佐賀大学
理工学部　教授

・デバイスシミュレーションによるGaN系HEMTデバイス物理の解明
岩田　直高

豊田工業大学
大学院工学研究科　教授

・GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの作製技術の構築
・GaN基板、エピ界面やバッファ層がAlGaN/GaN HEMT特性に与える影響の評価
・AlGaN/GaN HEMTのゲート構造や表面パッシベーション技術の検討
分島　彰男

名古屋工業大学
大学院工学研究科　准教授

・高周波用GaN-HEMTにおけるパルス測定やエミッション測定などの多面的なデバイス特性評価手法によるトラップ応答の時定数、活性化エネルギー等の見積もりとその妥当性検証
柳生　栄治

三菱電機株式会社
先端技術総合研究所　クリーンSiデバイス技術部
高周波デバイス技術グループマネージャー

・ GaN基板上GaN系HEMTにおけるフィールドプレート構造作製プロセスの構築
・GaN基板上GaN系HEMTの高性能化