中核拠点（結晶創製研究開発）

拠点長挨拶

天野 浩

中核拠点は、文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」の中で、パワーデバイス・システム領域、レーザーデバイス・システム領域と連携して、GaNの優れた物性を引き出し、高い信頼性を有するデバイスを実現するため、それぞれのデバイスに適した基板およびエピタキシャル層を各デバイス領域に提供します。また、評価基盤領域と連携して、学術的基礎および技術を構築することを目的としております。拠点長　天野 浩

実施体制図

  • 主課題A

    様々な応用に適した低コスト・オンデマンドGaN基板製造技術の構築

    • a-1. キラー欠陥抑制 ー 大阪大学、名古屋大学、豊田合成株式会社
    • a-2. オンデマンド成長法の構築 ー 名古屋大学、豊田合成株式会社
    • a-3. 低コスト成長法の構築 ー 豊田中央研究所
  • 主課題B

    エピタキシャル成長過程における気相反応のモニタリング技術の構築と様々な結晶欠陥発生機構とその制御に関するビッグデータベース構築

    • b-1. エピタキシャル成長過程における気相反応のモニタリング技術の構築 ー 名古屋大学
    • b-2. 様々な結晶欠陥発生機構とその制御に関するビッグデータベース構築 ー 名古屋大学
  • 主課題C

    インテリジェント・マニュファクチャリング実現のための結晶成長過程コンピュータシミュレーション技術の構築

    • c-1. コンピュータシミュレーション技術構築 ー 名古屋大学
    • c-2. インテリジェント・マニュファクチャリング技術構築 ー 名古屋大学

メンバー紹介

  • 天野浩
    天野　浩
    名古屋大学
    未来材料・システム研究所　教授

    ・研究総括、全体取りまとめ

  • 森勇介
    森　勇介
    大阪大学
    大学院工学研究科　教授

    ・Naフラックス法によるGaN種結晶の作製
    ・GaN種結晶の低転位化に関する研究開発

  • 中村大輔
    中村　大輔
    豊田中央研究所
    戦略先端研究領域半導体結晶材料プログラム　PM

    ・新規成長手法（ハロゲンフリー気相成長法）での高速
    ・長時間連続成長による大型GaN単結晶の育成に関する研究

  • 守山実希
    守山　実希
    豊田合成株式会社
    開発本部　先端材料開発部　基幹技師

    ・Naフラックス法およびHVPE法を用いたGaN結晶の大口径化、高品質化技術開発

研究成果

  • 研究成果報告書（※準備中）
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